Технология инжекции горячих носителей против метода Фаулера-Нордхайма: почему флэш-память выбрала...

Флэш-память использует два способа размещения электронов на плавающем затворе. Один из них быстрее и требует меньшего напряжения на затворе. Другой медленнее, требует 15-20 В и практически не расходует носители заряда. Промышленность выбрала более медленный способ — и причина тому чистая физика. В этой лекции мы подробно разберем прямое сравнение инжекции горячих носителей (HCI) и туннелирования Фаулера-Нордхайма (FN): ▸ Что на самом деле означает «горячий» — носители в 100 раз выше теплового равновесия ▸ Почему повреждения, вызванные HCI, концентрируются в зоне 50 нм на краю стока в каждом цикле ▸ Модель «счастливого электрона» и почему пик тока затвора достигается при Vg = Vd/2 ▸ Эффективность инжекции FN ~100% по сравнению с HCI при 10⁻⁴–10⁻⁵ — куда уходит энергия ▸ Как определить механизм повреждения по Id-Vg: наклон подпорогового режима, gm и асимметрия как отличительные признаки ▸ Почему HCI не исчез — он просто переместился из программирования Flash-памяти в режим стресс-тестирования надежности К концу лекции вы сможете, взглянув на деградировавший Id-Vg, определить, имеете ли вы дело с повреждением, вызванным FN, или с повреждением, вызванным HCI — и почему это важно для характеристик долговечности. Часть серии «Физика энергонезависимой памяти». Предыдущая лекция → Туннелирование Фаулера-Нордхайма Следующая лекция → Узлы хранения с ловушками заряда (SONOS, TANOS, 3D NAND CTF) ─────────────────────────── Временные метки 0:00 Крюк — два механизма, один победитель 1:30 Что такое горячий носитель? 5:00 Физика HCI шаг за шагом 10:00 Сравнение FN и HCI 14:00 Характеристики повреждений и износостойкость 20:00 Чтение Id-Vg для определения «отпечатков пальцев» механизма 26:00 Почему HCI по-прежнему актуален сегодня 30:00 Резюме и переход к C5 ────────────────────────── #ФизикаПолупроводников #ФлэшПамять #MOSFET #ИнжекцияГорячихНильщиков #FowlerNordheim #ЭнергонезависимаяПамять #NAND #Электротехника #ФизикаУстройств