Урок 18 по Silvaco TCAD ATLAS: Как написать код для AlGaN/GaN HEMT в Silvaco..?

Пожалуйста, присоединитесь к группе в Telegram для получения дополнительной информации: https://t.me/silvacoTcad Учебное пособие по Silvaco TCAD ATLAS, часть 18: Как написать код для AlGaN/GaN HEMT в Silvaco..? HEMT на основе GaN для работы при высоком напряжении Свойства материалов (GaN против Si) Эффекты спонтанной и пьезоэлектрической поляризации Теория работы HEMT Структура устройства AlGaN/GaN HEMT. Привет всем! Я нахожусь за пределами Индии несколько дней или месяцев. Если вы хотите поговорить со мной или задать вопрос, отправьте сообщение в WhatsApp на мой номер. Мой номер WhatsApp: +91-7015745045. Электронная почта: enggtechsociety@gmail.com Мы постоянно оказываем помощь в написании магистерских и диссертационных работ. Мы также предлагаем помощь в написании докторских диссертаций. Научное руководство, поддержка в подготовке докторских диссертаций, помощь в публикации статей в научных журналах, услуги по публикации докторских диссертаций включают конференции IEEE, SCI, Scopus, IEEE Transactions, а также журналы, индексируемые Elsevier и Springer. Ищу возможности для сотрудничества... Если кто-то заинтересован, может связаться со мной по WhatsApp: +91-7015745045. Еще одно: скоро мы опубликуем несколько статей в журнале SCI. Если вам нужна должность/место в рукописи или соавторство, вы можете связаться со мной. Возможные темы: СБИС, Физика твердого тела, Инженерная физика, Электронная инженерия, Характеризация материалов, Оптоэлектроника, Физика полупроводников, Микроэлектроника, Материаловедение, Электрическая характеризация, Микроэлектроника, Нанотехнологии, Наноструктуры, Наноустройства (FET, TFET, TFT, нанопроволоки, HEMT, нанотрубки, вертикальные структуры и т. д.) Я предоставляю коды Silvaco TCAD, объясняющие основы нанотехнологических устройств, всего за 20 000 рупий (более 15 кодов). Новички в этой области могут воспользоваться этой возможностью, чтобы стать мастерами. Список предоставляемых мною программ включает: Разработка схем на основе объемных MOSFET-транзисторов, SOI MOSFET (PD и FD), DGMOSFET, TFET, нанопроволочных FET, нанопроволочных FET для газового анализа, вертикальных TFET с тройным металлическим затвором, биосенсоров на основе JLTFET, биосенсоров на основе CPTFET, ферроэлектрических FET, органических FET, GaN нанопроволок, AlGaN/GaN HEMT, FinFet, VTFET с двойным истоком. Презентация по моделированию — 500 слайдов + Моделирование — 62 слайда (стоимость обеих презентаций — всего 12 000 рупий).