Определение ширины обеднённой области в p-n-переходе | Электронные приборы и схемы - EDC

Электрическое поле в p-n-переходе объясняется в следующих разделах: 0. Электронные приборы / Основы электроники 1. p-n-переход 2. Ширина обеднённой области в p-n-переходе 3. Вывод ширины обеднённой области в p-n-переходе Подробная программа курса «Электронные приборы – EDC» по главам выглядит следующим образом: Глава 1. Энергетические зоны и полупроводники:    • Energy Bands and Semiconductors in Electro...   Энергетические зоны и классификация твёрдых материалов, Типы полупроводниковых материалов, Дрейфовый и диффузионный ток, Закон действующих масс, Примеры полупроводниковых материалов, Примеры дрейфового и диффузионного тока, Примеры проводимости и удельного сопротивления, Соотношение Эйнштейна для полупроводников, Примеры соотношения Эйнштейна для полупроводников, Ферми Распределение Дирака в полупроводнике, Концентрация электронов в зоне проводимости и концентрация дырок в валентной зоне, Собственная концентрация в полупроводнике, Скорость дрейфа и свободная скорость, Уровень энергии Ферми в собственном полупроводнике, Уровень энергии Ферми в примесном полупроводнике, Эффект Холла в полупроводнике, Примеры эффекта Холла в полупроводнике, Энергия и длина волны для генерации и рекомбинации, Примеры энергии и длины волны для генерации и рекомбинации, Генерация и рекомбинация при равномерном освещении, Примеры генерации и рекомбинации, Диаграмма энергетических зон, Примеры диаграмм энергетических зон, Уравнение непрерывности, Прямозонный и непрямозонный полупроводник. Глава 2. P-N-переход:    • PN Junction in Electronic Devices   P-N-переход в равновесном состоянии, диаграмма энергетических зон P-N-перехода, напряжение отключения P-N-перехода, электрическое поле P-N-перехода, ширина обеднённой области P-N-перехода, примеры P-N-перехода, P-N-переход при прямом смещении, P-N-переход при обратном смещении, идеальный и практический диоды, номинальные характеристики диодов, тестирование диодов и проверка их качества, влияние температуры на P-N-переход, примеры диодных схем, ёмкость P-N-перехода, примеры ёмкости P-N-перехода, коммутационные характеристики P-N-перехода. Глава 3. Специальные диоды:    • Special Diodes in Electronic Devices   Светодиод — светодиод, примеры светодиодов, варикапов, туннельных диодов, примеров туннельных диодов, фотодиодов, солнечных элементов, примеров солнечных элементов. Глава 4. Биполярный транзистор:    • BJT in Electronic Devices   Параметры биполярного транзистора в равновесном состоянии, рабочие области биполярного транзистора, применение биполярного транзистора и ширина базы биполярного транзистора, биполярный транзистор в активной области, распределение носителей заряда в биполярном транзисторе в различных режимах, модель биполярного транзистора Эберса-Молла, ранний эффект, конфигурация биполярного транзистора с общей базой, конфигурация биполярного транзистора с общим эмиттером, пробивной эффект в биполярном транзисторе, примеры биполярного транзистора. Глава 5 MOSCAP:    • MOSCAP in Electronic Devices   MOSCAP, МОП-конденсатор, идеальный MOSCAP, напряжение плоской зоны в MOSCAP, MOSCAP при внешнем смещении, MOSCAP в режиме накопления, MOSCAP в режиме обеднения, MOSCAP в режиме инверсии, пороговое напряжение MOSCAP, инверсионный заряд MOSCAP, вольт-амперные характеристики MOSCAP, примеры MOSCAP. Глава 6. МОП-транзистор:    • MOSFET in Electronic Devices   МОП-транзистор, ВАХ МОП-транзистора, Модуляция длины канала МОП-транзистора, Модель МОП-транзистора в условиях малого сигнала, Крутизна и сопротивление стока МОП-транзистора, Эффект объёма в МОП-транзисторе, Примеры МОП-транзисторов, Примеры технологий интегральных схем. Глава 7. Эксперименты с электроникой:    • Electronics Experiments   Использование функционального генератора в MULTISIM, ВАХ диода с p-n-переходом в MULTISIM, Характеристики стабилитрона в MULTISIM, Однополупериодный выпрямитель в MULTISIM, Двухполупериодный выпрямитель в MULTISIM, Мостовой выпрямитель в MULTISIM, Логические вентили в MULTISIM, Схемы ограничения в MULTISIM, Характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером в MULTISIM, Частотная характеристика усилителя с общим эмиттером в MULTISIM, Характеристики полевых транзисторов в MULTISIM Канал Engineering Funda посвящен инженерии и технологиям. Это видео относится к разделу «Базовая электроника/Электронные устройства/EDC» #ОбластьОпустошения #PNJunction #ЭлектронныеУстройства @EngineeringFunda