От FinFET до GAAFET: как на самом деле работают 2-нм транзисторы.

Переход к 2-нм техпроцессу требует перехода от FinFET к нанолистам с затвором, охватывающим всю поверхность (GAA), для поддержания электростатического контроля при приближении расстояния между кремниевыми электродами к 0,5 нм. Данный технический анализ охватывает эпитаксиальный рост сверхрешеток Si/SiGe, реализацию внутреннего спейсера для минимизации паразитной емкости и переход к подаче питания с обратной стороны (BSPDN) для уменьшения падения напряжения. Мы анализируем подавление снижения барьера, вызванного напряжением стока (DIBL), предельный подпороговый наклон 60 мВ/декаду и влияние рассеяния на шероховатости поверхности на подвижность носителей заряда. Оценка распространяется на будущее масштабирование с помощью высокоапертурной EUV-литографии, транзисторов типа Forksheet и, в конечном итоге, вертикальную интеграцию n-типа и p-типа устройств в комплементарных полевых транзисторах (CFET). ##GAAFET ##2nmNode ##SemiconductorManufacturing ##Наноэлектроника ##EUV ##CFET ##Микроэлектроника