Перейти к содержимому

FLASH TALKS: ЭП. #40 — In Situ TEM и STEM-EELS исследование мемристорного устройства на основе ни...

Protochips

0:00 / 0:00

FLASH TALKS: ЭП. #40 — In Situ TEM и STEM-EELS исследование мемристорного устройства на основе ни...

116 просмотров · 5 месяцев назад
Protochips
1,14 тыс. подписчиков
116 просмотров · 5 месяцев назад
#НайдиСвойПрорыв | FLASH TALKS: EP #40 Докладчик: Ди Чжан, доцент кафедры материаловедения и инженерии Техасского университета в Арлингтоне «Исследование мемристорного устройства на основе нитридной пленки с помощью TEM и STEM-EELS in situ» В своем исследовании, проведенном с использованием Fusion AX, Ди Чжан показывает, как происходит переключение резистивного сигнала при сверхнизком напряжении в мемристорном устройстве на основе TiOx, разработанном для энергоэффективных приложений памяти и нейроморфных вычислений. Используя устройство на основе ламелл, изготовленное с помощью сфокусированного ионного пучка, и анализ TEM/STEM in situ, исследователи наблюдали нестабильное пороговое переключение при напряжении около ±0,4 В и обнаружили, что кислородные вакансии мигрируют под действием приложенного напряжения, изменяя барьеры Шоттки на границе раздела металл/полупроводник. Поведение переключения обусловлено модуляцией барьера на границе раздела в сочетании с джоулевым нагревом и эффектами теплового разгона, вызванными полем. Эти результаты дают представление о механизмах резистивного переключения интерфейсного типа на наномасштабе и могут помочь в разработке низкоэнергетических мемристорных устройств с улучшенными характеристиками и надежностью. #insitu #микроскопия #tem #электроннаямикроскопия Прочитайте статью здесь: https://advanced.onlinelibrary.wiley.... 🌐 Найдите нас на нашем сайте: www.protochips.com 👉 Подпишитесь на нас в LinkedIn:   / protochips   👉 https://x.com/Protochips 👀 Есть вопросы о нашей продукции? Свяжитесь с нами здесь! https://www.protochips.com/contact/