Как инженерам удалось достичь нанометровой точности в производстве микрочипов

В этом видео мы объясняем, как производители микросхем печатают миллиарды элементов, намного меньших, чем длина волны света, используемого для их создания, нарушая фундаментальный закон оптики с помощью цепочки всё более экстремальных уловок. История начинается с искажения маски и погружения в воду, продолжается многослойным формированием рисунка и до EUV-излучения, создаваемого лазером, испаряющим капли олова пятьдесят тысяч раз в секунду. Что рассматривается в этом видео: Как фотолитография печатает рисунки на микросхемах, проецируя свет через маску на кремний, покрытый фоторезистом. Почему дифракция устанавливает жесткий предел размера элементов, примерно равный половине длины волны света. Как оптическая коррекция близости, фазосдвигающие маски и иммерсионная литография позволили обойти ограничение в 193 нм. Как многослойное формирование рисунка позволяет многократно печатать каждый слой, чтобы уменьшить размер элементов до менее чем 30 нанометров. Как EUV-литография на 13,5 нм использует плазму из капель олова и атомарно гладкие зеркала в вакууме для печати элементов размером менее 5 нм. Источники: https://en.wikipedia.org/wiki/Photoli..., https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme..., https://en.wikipedia.org/wiki/Optical... #Фотолитография #EUV #ПроизводствоЧипов #ASML #Полупроводники