Что такое насыщение скорости в MOSFET?

Здравствуйте, дорогие друзья! Снова приветствуем вас на нашем YouTube-канале Semi Tech. С вами Ниранджан, энтузиаст электроники. В этом видео мы поговорим о насыщении скорости. Насыщение скорости — это явление, при котором электрон достигает максимальной скорости дрейфа при очень высоком электрическом поле. В общем случае, скорость дрейфа электрона увеличивается с увеличением электрического поля. Но за определённым пределом линейная зависимость между скоростью дрейфа и электрическим полем перестаёт существовать. vd = uE, что ухудшает подвижность носителей заряда и, следовательно, снижает ток. Чтобы быть в курсе последних новостей, обязательно посмотрите другие важные видео на моём канале. Ссылки вы найдёте ниже. Кроме того, чтобы получать больше обновлений, оставайтесь на связи со мной в Instagram.   / _edu__tech_      • What is gate induced drain leakage in MOSF...   - GIDL: утечка стока, вызванная затвором    • What is drain induced barrier lowering.   DIBL: снижение барьера, вызванное стоком    • Why do we consider PMOS as pull up and NMO...   Почему PMOS-транзисторы имеют повышающий, а NMOS-транзисторы — понижающий?    • Why is the input impedance of op-amp very ...   Почему входное сопротивление операционного усилителя высокое? #подготовка_затвора #VLSI #эффект_второго_порядка #эффект_короткого_канала #полутехнические_технологии #интервью_по_VLSI #аналоговый_проектирование