长鑫存储亮出芯片新技术,三星海力士研究多年的4F²,被中国先突破了?|热点深度
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4F²来了!中国长鑫存储突然亮出一项新技术,让韩国芯片行业感受到压力。10月13日,三星电子股价下跌约7.4%,SK海力士跌了10%。引发市场担忧的消息之一,是长鑫存储宣布在下一代DRAM内存架构4F²上取得关键进展,计划今年底推出相关DDR5服务器内存产品。4F²究竟是什么?简单说,现在主流DRAM存储单元采用6F²设计。长鑫尝试通过垂直晶体管和混合键合技术,把单元面积缩小到4F²,在同样面积里塞进更多存储单元。如果成功商业化,分析师预计存储密度可能提升约30%。三星、SK海力士也在研究这项技术。长鑫虽然受到美国先进设备出口限制,却试图通过改变芯片架构,寻找另一条技术升级路线。连马斯克都参与讨论:他认为中国一旦把制造流程调通,规模化生产能力往往非常惊人,但HBM和三维堆叠等技术仍然难攻克。
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