کارکرد ترانزیستور در ناحیه اشباع و اثر ارلی

در این ویدیو در ادامه ویدیوی قبلی این بار به بررسی رفتار ترانزیستور پیوند دوقطبی در ناحیه اشباع می پردازیم. نخست با معرفی مدل سیگنال بزرگ BJT عملکرد کیفی ترانزیستور پیوند دوقطبی در ناحیه اشباع به تفصیل به کمک نمودار i-v بررسی و سپس روابط ریاضی حاکم بر عملکرد آن معرفی می گردند. علاوه بر اینها نشانگرهای ریاضی سنجش قرارگیری ترانزیستور پیوند دوقطبی در ناحیه اشباع نیز استخراج می گردند و مثال نیز درباره آن حل می شود. در ادامه، موضوع مهم دیگر که بحث مولفه جریان وارون پیوند کلکتور بیس یا مولفه حاملهای اقلیت نیز که در ایجاد جریان در ترانزیستور پیوند دوقطبی تاثیر دارند مختصرا معرفی می شود و نهایتا بحث مدولاسیون عرض بیس یا اثر ارلی که از مباحث کلیدی در ادامه بحث در آینده خواهد بود به تفصیل با توضیح کیفی و همچنین مثال عددی بررسی می شود.