Диод с p-n-переходом, работающий на тамильском языке

ПРИНЦИП РАБОТЫ PN-ДИОДА: Для объяснения свойств p-n-перехода, полупроводники p- и n-типа целесообразно соединить. Следует отметить, что материал n-типа имеет высокую концентрацию свободных электронов, в то время как материал p-типа имеет высокую концентрацию дырок. Поэтому в переходе наблюдается тенденция к диффузии свободных электронов в p-сторону, а дырок в n-сторону. Этот процесс называется диффузией. Сочетание этих дырок и электронов создает новую область между двумя слоями. Эта область называется «обедненным слоем». Только внутри этого слоя на n-стороне имеется положительный заряд, а на p-стороне — отрицательный. Вследствие этого в этом слое возникает потенциал, называемый «барьерным потенциалом». Барьерный потенциал напрямую связан с обедненным слоем. Барьерный потенциал препятствует потоку основных носителей заряда через переход и способствует потоку неосновных носителей. При обоих этих противоположных эффектах в нормальных условиях через переход не будут проходить носители заряда. Разность потенциалов на p-n-переходе может быть приложена двумя способами: прямым и обратным смещением. Спасибо за просмотр