Демонстрация MRAM с подключением по CXL: использование энергонезависимой памяти для ИИ и дата-цен...

Посмотрите демонстрацию магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) с подключением через CXL, демонстрирующую, как постоянная память может быть интегрирована в новые архитектуры памяти. Представленная на конференции SNIA SDC 2026, демонстрация показывает, как Compute Express Link (CXL) может обеспечить семантический доступ к памяти MRAM, создавая уровень постоянной памяти между DRAM и хранилищем на основе NAND. Этот подход предлагает потенциальные преимущества для рабочих нагрузок в области искусственного интеллекта и центров обработки данных, включая постоянное кэширование, буферизацию записи, контрольные точки и приложения кэширования ключ-значение (KV). Сочетая высокоскоростное подключение с энергонезависимой памятью, MRAM с подключением через CXL может помочь решить проблемы, связанные с меняющимся перемещением данных, задержкой и постоянным хранением в современных вычислительных системах. Это видео предоставлено **Альянсом SNIA MRAM**, который способствует повышению осведомленности и пониманию технологии MRAM и ее роли в развивающейся экосистеме хранения и памяти. Узнать больше: • Веб-сайт SNIA: https://snia.org/. • Веб-сайт Альянса SNIA MRAM: https://www.snia.org/forums/cmsi/mram • Образовательная библиотека SNIA: https://snia.org/library. • X:/сния • LinkedIn: / snia