矽極限的下一步?台積電技術再突破!二硫化鉬MoS2攻克關鍵瓶頸,下一代晶片技術來了?
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🏮【科技新未來 EP141】台積電次世代技術再突破:磊晶介面工程實現高跨導二硫化鉬(MoS2)頂部閘極電晶體🏮
00:00 開場 | Introduction
05:18 高跨導(gm)對場效電晶體的重要性
07:27 磊晶介面工程如何解決二維場效電晶體的問題?
09:17 磊晶衍生氧化鋁與氧化鉿/氧化鋁堆疊結構的介電特性
13:46 基於化學氣相沉積(CVD)成長單層二硫化鉬(MoS2)的雙閘極場效電晶體
16:57 短通道頂部閘極場效電晶體與高介電常數閘極堆疊結構的性能比較
20:11 磊晶衍生氧化鋁(Al2O3)介面層的主要作用是改善二維材料介面
22:01 結論 | Conclusion
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