Основы полупроводников ECE Purdue, Урок 1.7: Свойства материалов — Повторение

Содержание курса доступно ниже. Это видео является частью курса «Основы полупроводников», который преподает Марк Лундстром в Университете Пердью. Курс можно найти на nanoHUB.org по адресу https://nanohub.org/courses/sfun или на edX по адресу https://www.edx.org/course/semiconduc.... Этот курс предоставляет необходимые основы для понимания работы полупроводниковых устройств, таких как транзисторы, диоды, солнечные элементы, светоизлучающие приборы и многое другое. Материал будет в первую очередь интересен студентам-электротехникам, интересующимся применением полупроводниковых устройств в схемах и системах. Изложение материала носит физический и интуитивный характер и не содержит большого количества математических выкладок. Пользователи технологий получат понимание физики полупроводников, лежащей в основе устройств. Разработчики полупроводниковых технологий могут найти этот курс полезной отправной точкой для более глубокого изучения физики конденсированных сред, статистической механики, термодинамики и материаловедения. Курс представляет собой взгляд на полупроводники с точки зрения электротехники, но и специалистам других областей он может быть полезен в качестве введения в подход, который определял развитие полупроводниковых технологий на протяжении последних 50 с лишним лет. Содержание: 00:00 Лекция 1.7: Краткий обзор раздела 1 00:23 Результаты обучения по разделу 1 01:43 Пример полупроводника: Si 02:59 Энергетические уровни кремния → энергетические зоны 05:14 Модель связи: собственный полупроводник 06:28 Ширина запрещенной зоны и концентрация собственных носителей заряда 08:16 Металл Полупроводник Изолятор 09:01 Изолятор Металл Полупроводник 10:02 Кристаллические и аморфные полупроводники 10:41 Поликристаллические полупроводники 11:32 Индексы Миллера 12:38 Энергия против импульса: E(k) 14:51 Диаграмма энергетических зон 15:15 Рекомбинация электрон-дырка в полупроводнике с прямой запрещенной зоной 15:50 Полупроводник с непрямой запрещенной зоной (например, Si) 16:43 Оптическая генерация: E(k) 17:35 Релаксация горячих носителей заряда 17:56 Легирование 19:29 Легирование N-типа: вид энергетических зон 20:17 Легирование P-типа: вид энергетических зон 21:03 Концентрация носителей заряда в зависимости от температуры 23:44 Резюме: Результаты обучения по разделу 1