长鑫4F²技术原理详解：存储格局变天了！

长鑫存储近期公布了4F² DRAM技术路线，引发了半导体行业的广泛关注。相比传统6F²存储单元，4F²究竟意味着什么？为什么理论上能够让存储单元面积减少33.3%、单位面积存储密度提升50%？长鑫采用的VSG垂直环栅晶体管，又与我们熟悉的FinFET、GAAFET有什么联系？ 本期视频，我们从DRAM最基础的1T1C存储结构出发，一步步拆解长鑫4F²技术背后的物理原理与工程逻辑。