Модель Эберса-Молла для биполярного транзистора (основы, схема, уравнения токов и принцип работы)

Модель Эберса-Молла для биполярного транзистора (БТ) объясняется с использованием следующих временных меток: 0:00 - Модель Эберса-Молла для БТ - Электронные устройства - EDC 0:48 - Схема модели Эберса-Молла для БТ 6:12 - Уравнения тока модели Эберса-Молла для БТ 10:40 - Принцип работы модели Эберса-Молла для БТ Модель Эберса-Молла для БТ объясняется в следующих разделах: 0. Электронные устройства - EDC 1. БТ - Биполярный транзистор 2. Модель Эберса-Молла для БТ 3. Схема модели Эберса-Молла для БТ 4. Уравнения тока модели Эберса-Молла для БТ 5. Принцип работы модели Эберса-Молла для БТ Подробная программа курса «Электронные устройства - EDC» по главам выглядит следующим образом: Глава 1. Энергетические полосы и полупроводники:    • Energy Bands and Semiconductors in Electro...   Энергетические зоны и классификация твердых материалов, типы полупроводниковых материалов, дрейфовый ток и диффузионный ток, закон действия масс, примеры полупроводниковых материалов, примеры дрейфового и диффузионного тока, примеры проводимости и удельного сопротивления, соотношение Эйнштейна в полупроводниках, примеры соотношения Эйнштейна в полупроводниках, распределение Ферми-Дирака в полупроводниках, концентрация электронов в зоне проводимости и концентрация дырок в валентной зоне, собственная концентрация в полупроводниках, дрейфовая скорость и свободная скорость, уровень энергии Ферми в собственном полупроводнике, уровень энергии Ферми в легированном полупроводнике, эффект Холла в полупроводниках, примеры эффекта Холла в полупроводниках, энергия и длина волны для генерации и рекомбинации, примеры энергии и длины волны для генерации и рекомбинации, генерация и рекомбинация при равномерном освещении, примеры генерации и рекомбинации, энергетическая зонная диаграмма, примеры энергетической зонной диаграммы, уравнение непрерывности, полупроводники с прямой и непрямой зонной щелью. Глава 2. PN-переход:    • PN Junction in Electronic Devices   PN-переход в равновесии, энергетическая зонная диаграмма PN-перехода, напряжение включения PN-перехода, электрическое поле PN-перехода, ширина обедненной области PN-перехода, примеры PN-переходов, PN-переход при прямом смещении, PN-переход при обратном смещении, идеальный диод и практический диод, номинальные характеристики диодов, тестирование диодов и проверка качества диодов, влияние температуры на PN-переход, примеры диодных схем, емкость PN-перехода, примеры емкости PN-перехода, характеристики переключения PN-перехода. Глава 3. Специальные диоды:    • Special Diodes in Electronic Devices   LED - светодиод, примеры светодиодов, варикапный диод, туннельный диод, примеры туннельных диодов, фотодиод, солнечная батарея, примеры солнечных батарей. Глава 4. Биполярные транзисторы (БТ):    • BJT in Electronic Devices   Параметры БТ в состоянии равновесия, рабочие области БТ, области применения БТ и ширина базы БТ, БТ в активной области, распределение носителей заряда в БТ в различных режимах, модель Эберса-Молла для БТ, эффект Эрли, конфигурация с общей базой БТ, конфигурация с общим эмиттером БТ, пробой в БТ, примеры БТ. Глава 5. MOSCAP:    • MOSCAP in Electronic Devices   MOSCAP, MOS-конденсатор, идеальный MOSCAP, напряжение плоской зоны в MOSCAP, MOSCAP под внешним смещением, MOSCAP в режиме накопления, MOSCAP в режиме истощения, MOSCAP в режиме инверсии, пороговое напряжение MOSCAP, инверсионный заряд MOSCAP, CV-характеристики MOSCAP, примеры MOSCAP. Глава 6. MOSFET:    • MOSFET in Electronic Devices   MOSFET, ВЧ-характеристики MOSFET, модуляция длины канала MOSFET, модель малого сигнала MOSFET, крутизна и сопротивление стока MOSFET, эффект подложки в MOSFET, примеры MOSFET, примеры интегральных схем. Глава 7. Эксперименты по электронике:    • Electronics Experiments   Использование генератора функций в MULTISIM, VI-характеристики PN-переходного диода в MULTISIM, характеристики стабилитрона в MULTISIM, полуволновой выпрямитель в MULTISIM, полноволновой выпрямитель в MULTISIM, мостовой выпрямитель в MULTISIM, логические элементы в MULTISIM, ограничительные цепи в MULTISIM, характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером в MULTISIM, частотная характеристика усилителя с общим эмиттером в MULTISIM, характеристики полевого транзистора в MULTISIM Канал Engineering Funda посвящен инженерии и технологиям. Это видео является частью курса «Основы электроники/Электронные устройства/EDC» #МодельЭберсаМолла #ЭлектронныеУстройства #ЭлектронныеУстройстваИСхемы @EngineeringFunda